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适于三维集成的阻变存储器关键技术研究-31513040303-信息系统2017预研

发布时间:2017-08-29 对接截止时间:2017-09-21 点击数:0 已对接企业数量:
功能用途
备注:2017年度信息系统预研指南无需通过网上对接,请按照互联网站“采购公告->其他公告”栏目2017年8月29日发布的“军委装备发展部信息系统局关于2017年全军共用信息系统装备预研指南发布公告”和“军委装备发展部信息系统局关于2017年全军共用信息系统装备预研立项评审工作规范(试行)”相关要求参与。
主要指标
研究方向:开展基于三维集成的阻变存储器关键技术研究,研究RRAM存储器件的芯片架构、集成工艺,完成 3D RRAM 器件样品试制。 牵引性指标:RRAM阻变存储器擦写速度低于20ns,阻变耐久力特性大于109次,阻变功耗低于1pJ;三维RRAM存储器件样品。 进度要求:2017~2019年。 成果形式:样品、专利、论文、技术报告、国防报告等。 最大支持单位数:1,每家单位经费限额:350万元。
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